五、世界電子元件發(fā)展預(yù)測。

    按照我國電子元件15個大類產(chǎn)品統(tǒng)計(jì)．預(yù)計(jì)2010年世界電子元件市場將達(dá)到3614億美元，產(chǎn)品產(chǎn)量將達(dá)到38400億只。

    世界電子元件市場預(yù)測

    產(chǎn)品類別2010年產(chǎn)量（億只）2010年銷售額（億美元）

    電子元件總計(jì)384003614

    其中：電阻電位器1400050

    電容器20000220

    壓電陶瓷及聲表器件20020

    磁性材料與器件(142萬噸）185

    電子變壓器150150

    電感器80040

    壓電晶體器件20060

    混合集成電路100600

    敏感元器件與傳感器100420

    電接插元件2500473

    控制繼電器15060

    微特電機(jī)與組件100200

    光電線纜其中：光纜（20000萬芯公里）490

    電聲器件100100

    印制電路（60000萬平方米）546注：磁性材料、光電線纜和印制電路產(chǎn)量未計(jì)入總計(jì)。

    據(jù)日本電子工業(yè)振興會對世界電子信息產(chǎn)業(yè)發(fā)展預(yù)測，2010年世界電子元件市場將達(dá)2800億美元。另據(jù)報(bào)道，全球片式元器件產(chǎn)量將從2005年15000億只增至2010年25000億只，年均增長13％。

    在全球化的浪潮中，世界電子元件產(chǎn)業(yè)規(guī)模不斷擴(kuò)大，生產(chǎn)集中度不斷提高。新材料、新工藝、新設(shè)備大量涌現(xiàn)，電子元件的技術(shù)又有了新的進(jìn)展，主要表現(xiàn)在：

    1�逼�式化、小型化已成為衡量電子元件技術(shù)發(fā)展水平的重要標(biāo)志之一。世界各國包括亞太地區(qū)、印度等發(fā)展中國家和地區(qū)，各類電子元件均已有相應(yīng)的片式化產(chǎn)品。其中，片式電容、片式電阻、片式電感三大無源元件，約占全球片式元件總產(chǎn)量的85％-90％。電子元件片式化的同時(shí)，小型化也在迅速發(fā)展，不僅傳統(tǒng)元件在迅速小型化，片式元件也在迅速小型化。

    2�彪娮釉�件復(fù)合化和集成化的步伐加快。1005型4連的片式電阻網(wǎng)絡(luò)應(yīng)用急速增長；片式MLCC網(wǎng)絡(luò)1608型4連、1005型2連產(chǎn)品已批量生產(chǎn)。估計(jì)在2006年，15％手機(jī)中的無源元件已被片式集成無源元件(IPD)取代。

    3高性能化高頻化電子設(shè)備的微波波段已成為重要的發(fā)展趨勢。這要求電子元件的使用頻段向更高的方向發(fā)展，電容器主要是降低ESR(等效串聯(lián)電阻)和ESL(等效串聯(lián)電感)。如3212型三端電容器(2200pf)，ESL=0.03nH，ESR=32mΩ，分別為常規(guī)產(chǎn)品的1／12和1／8。片式電感器的使用頻率已達(dá)到12GHz，射頻同軸連接器的工作頻率已達(dá)110GHz。

    4�睂�溫度也提出更高的要求。地質(zhì)勘探、汽車電子和航空航天領(lǐng)域的需求在-55℃～��+150℃。��-55℃～��+300℃��的陶瓷電容器，-55℃～+175℃和-55℃～+300℃的有機(jī)薄膜電容器，150℃2000h高溫的鋁電解電容器已經(jīng)面世，500℃～1100℃的高溫?zé)崦綦娮枰言谄�車電子中獲得應(yīng)用。

    六、我國電子元件的發(fā)展趨勢。

    1片式化、小型化。以多層陶瓷電容器(MLCC)為例，目前的主流產(chǎn)品尺寸正在從0603型向0402型過渡，而更受市場歡迎的高端產(chǎn)品是0201型。

    2�倍喙δ芑�。隨著電子新型產(chǎn)品功能的不斷增加，對片式元件功能的要求也越來越多樣化。

    3集成模塊化。近年來，由于低溫共燒陶瓷(LTCC)等技術(shù)的突破，才使無源集成技術(shù)進(jìn)入了實(shí)用化和產(chǎn)業(yè)化階段，并成為備受關(guān)注的技術(shù)制高點(diǎn)。

    4�蔽⒉�、高頻化和寬帶化。目前電子整機(jī)向微波、毫米波、高頻寬帶方向發(fā)展的趨勢十分強(qiáng)勁。此外，高速數(shù)字電路產(chǎn)品越來越多，光通信的傳輸速度已從2．5Gbps發(fā)展到10Gbps。這些都對電子元器件的高頻和寬頻化提出了更高的要求。（經(jīng)整理，有刪減）